เปิดตัวหน่วยความจำแฟลชแบบสามมิติ BiCS FLASH เจเนอเรชันที่ 5

Kioxia ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาหน่วยความจำแฟลชแบบสามมิติ BiCS FLASH เจเนอเรชันที่ห้า ที่มีโครงสร้างแนวตั้งซ้อนกัน 112 ชั้น โดยวางแผนเริ่มการจัดส่งอุปกรณ์ตัวอย่างที่มีขนาดความจุ 512 กิกะบิต (64 กิกะไบต์) และเทคโนโลยี 3-bit-per-cell (triple-level cell หรือ TLC) สำหรับการใช้งานกับอุปกรณ์บางชนิด

การเปิดตัวอุปกรณ์ชิ้นใหม่นี้มีเป้าหมายเพื่อตอบสนองความต้องการที่กำลังสูงขึ้นเรื่อย ๆ ของอุปกรณ์ประเภทต่าง ๆ รวมถึงอุปกรณ์มือถือแบบทั่วไป อุปกรณ์ SSD สำหรับลูกค้าทั่วไปและลูกค้าองค์กร อุปกรณ์ใหม่ ๆ ที่เกิดขึ้นจากการมาของเครือข่าย 5G ใหม่ ปัญญาประดิษฐ์ และยานยนต์ไร้คนขับ

บทความที่เกี่ยวข้อง

• 
  Infinix XPAD 20 Pro แท็บเล็ตรุ่นใหม่จ่อขายในไทย มาพร้อมจอ 12 นิ้ว ความละเอียด 2K แบตเตอรี่เน้นๆ 8000mAh
• 
  12 สมาร์ตโฟนที่เปิดตัวล่าสุด รองรับ eSIM อัพเดตเดือนพฤศจิกายน 2025

ติดตามข่าว สยามโฟน.คอม ที่