เปิดตัวหน่วยความจำแฟลชแบบสามมิติ BiCS FLASH เจเนอเรชันที่ 5

Kioxia ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาหน่วยความจำแฟลชแบบสามมิติ BiCS FLASH เจเนอเรชันที่ห้า ที่มีโครงสร้างแนวตั้งซ้อนกัน 112 ชั้น โดยวางแผนเริ่มการจัดส่งอุปกรณ์ตัวอย่างที่มีขนาดความจุ 512 กิกะบิต (64 กิกะไบต์) และเทคโนโลยี 3-bit-per-cell (triple-level cell หรือ TLC) สำหรับการใช้งานกับอุปกรณ์บางชนิด

การเปิดตัวอุปกรณ์ชิ้นใหม่นี้มีเป้าหมายเพื่อตอบสนองความต้องการที่กำลังสูงขึ้นเรื่อย ๆ ของอุปกรณ์ประเภทต่าง ๆ รวมถึงอุปกรณ์มือถือแบบทั่วไป อุปกรณ์ SSD สำหรับลูกค้าทั่วไปและลูกค้าองค์กร อุปกรณ์ใหม่ ๆ ที่เกิดขึ้นจากการมาของเครือข่าย 5G ใหม่ ปัญญาประดิษฐ์ และยานยนต์ไร้คนขับ

บทความที่เกี่ยวข้อง

• 
  OPPO A6c แบตฯใหญ่ 7,000mAh ดีไซน์โดดเด่น เริ่มต้นเพียง 4,xxx
• 
  CMF Flip ถอดรหัสคอนเซปต์สมาร์ตโฟนจอพับราคาประหยัดที่อาจเปลี่ยนเกมตลาดสมาร์ตโฟน

ติดตามข่าว สยามโฟน.คอม ที่