Western Digital เปิดตัวเทคโนโลยี 4 บิตต่อเซลล์บนชิป 3D NAND

Western Digital ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาโครงสร้างหน่วยความจำแฟลชแบบ 4 บิตต่อเซลล์ (X4) ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรม 3D NAND ที่รองรับได้ถึง 64 เลเยอร์ หรือมีชื่อเรียกอีกชื่อหนึ่งว่า BiCS3 การพัฒนาดังกล่าวต่อยอดจากนวัตกรรม X4 สำหรับเทคโนโลยีชิป 2D NAND และมุ่งสานต่อความสำเร็จในการจัดจำหน่ายเชิงพาณิชย์ ปัจจุบัน เวสเทิร์น ดิจิตอล พัฒนาเทคโนโลยี X4 เพื่อชิป 3D NAND ด้วยการใช้ประโยชน์จากการควบรวมกิจการที่มีศักยภาพสูง ทั้งกระบวนการผลิตแผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ การพัฒนาวิศวกรรมเพื่อสร้างข้อมูล 16 ชั้นในทุกเครือข่ายการจัดเก็บข้อมูลและความเชี่ยวชาญด้านการจัดการระบบหน่วยความจำแฟลชในภาพรวม เทคโนโลยีชิป BiCS3 X4 มอบศักยภาพการเก็บข้อมูลระดับแถวหน้าของอุตสาหกรรมที่ 768 กิกะบิตต่อชิปหนึ่งตัว หรือเพิ่มขึ้นร้อยละ 50 เมื่อเทียบกับชิป 512 กิกะบิตรุ่นก่อนหน้าซึ่งใช้สถาปัตยการรมแบบ 3 บิตต่อเซลล์ (X3) ทั้งนี้ทาง เวสเทิร์น ดิจิตอล จะทำการโชว์ผลิตภัณฑ์แบบต่อพ่วงและฮาร์ดดิสก์แบบโซลิดสเตท (Solid-state drive) ที่ผลิตด้วยชิป BiCS3 X4 พร้อมกับศักยภาพต่างๆ ของระบบเหล่านี้ที่งาน “แฟลช เมมโมรี่ ซัมมิต (Flash Memory Summit)” ซึ่งจัดขึ้นที่เมืองซานตา คลาร่า รัฐแคลิฟอร์เนีย ประเทศสหรัฐอเมริกาในเดือนสิงหาคมนี้

“การนำสถาปัตยกรรม X4 มาใช้บน BiCS3 ถือว่าเป็นการพัฒนาครั้งสำคัญของเวสเทิร์น ดิจิตอล เนื่องจากเป็นการแสดงให้เห็นถึงความเป็นผู้นำในเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช NAND และยังช่วยให้เราสามารถเพิ่มทางเลือกด้านโซลูชั่นส์การจัดเก็บข้อมูลให้แก่ลูกค้าของเราได้” ดร.ศิวะ ศิวะราม รองประธานบริหาร ฝ่ายเทคโนโลยีหน่วยความจำของบริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าวและเสริมว่า “สิ่งที่น่าสนใจที่สุดของการประกาศความสำเร็จในวันนี้คือการใช้เทคนิคที่เป็นนวัตกรรมใหม่ในสถาปัตยกรรม X4 ซึ่งเอื้อให้เทคโนโลยีชิป BiCS3 X4 ของเรามีประสิทธิภาพเทียบเท่าชิป BiCS3 X3 การลดช่องว่างด้านประสิทธิภาพระหว่างสถาปัตกรรม X4 และ X3 ถือเป็นคุณสมบัติที่ช่วยสร้างความแตกต่างและมีความสำคัญสำหรับเรา พร้อมกับจะช่วยให้ตลาดเกิดการยอมรับเทคโนโลยี X4 อย่างกว้างขวางมากขึ้นในอีกหลายปีข้างหน้า”

ความสำเร็จครั้งล่าสุดนี้เกิดขึ้นจากมรดกแห่งความเชี่ยวชาญเกือบ 3 ทศวรรษในการเป็นผู้บุกเบิกนวัตกรรมแฟลช รวมถึงเทคโนโลยีแฟลชแบบเซลล์หลายชั้น (MLC) ซึ่งใช้เทคโนโลยีสองบิตต่อเซลล์ (X2) และสามบิตต่อเซลล์ (X3)

บริษัทฯ คาดการณ์ว่าจะเริ่มผลิตเทคโนโลยีชิป 3D NAND X4 เพื่อตอบสนองการใช้งานหลากหลายรูปแบบที่จะได้ประโยชน์จากศักยภาพที่สูงขึ้นของ X4 ทั้งนี้ เทคโนโลยีชิป 3D NAND รุ่นใหม่ในอนาคต รวมถึงชิป BiCS4 แบบ 96 เลเยอร์ ยังถูกคาดหมายว่าจะใช้โครงสร้างแบบ X4 ที่มีประสิทธิภาพสูงด้วยเช่นกัน

บทความที่เกี่ยวข้อง

• 
  Samsung Odyssey OLED G9 (G91SD) มหากาพย์ความสมจริงบนจอโค้ง 49 นิ้ว พร้อมขุมพลัง AI ระดับเทพ
• 
  HUAWEI nova 15 ยังชูกล้องหลังเซนเซอร์ RYYB ความละเอียด 50MP ใช้ชิปเซ็ต Kirin 8020

ติดตามข่าว สยามโฟน.คอม ที่